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2019单晶金刚石及其电子器件国际研讨会在西安交大召开
来源:交大新闻网 日期 2019-06-11 10:20 点击:

6月9-11日,由西安交通大学电子物理与器件教育部重点实验室与单晶金刚石电子材料与器件泛太平洋产业联盟共同主办的“2019单晶金刚石及其电子器件国际研讨会(2019SCDE)”召开。西安交通大学电子物理与器件教育部重点实验室主任、宽禁带半导体研究中心主任王宏兴担任研讨会主席。西安交通大学电信学部主任管晓宏院士,科研院院长黄忠德,电子科学与工程学院院长徐友龙教授,以及来自不同国家和地区的130余位专家学者参加会议。

会上,国内外60余位金刚石及相关材料与器件领域的专家做了大会报告和相关学术报告。蓝光LED发明人之一,日本国立材料研究所小出康夫教授,日本金刚石半导体学会会长、早稻田大学川原田洋教授,美国材料研究协会主席、国际材料研究学会联合会主席、亚利桑那州立大学罗伯特·J·内马尼奇教授,北京大学沈波教授分别介绍了各自团队的最新研究进展;德岛大学敖金平教授、西北工业大学樊慧庆教授、吉林大学李红东教授、济南大学杨萍教授、日本国立材料研究所刘江伟研究员等分别介绍了国内单晶金刚石研究的最新研究进展。

西安交通大学宽禁带半导体材料与器件中心主任王宏兴教授介绍了研究团队在单晶金刚石快速生长、电子器件级单晶金刚石同质和异质外延生长、金刚石基日盲紫外探测和金刚石基功率电子器件方面的最新研究进展,获得与会代表的高度评价。

此次会议为单晶金刚石及相关材料和器件等相关领域的专家、学者、技术人员及企业家等提供学术交流平台,加强国内外同行业之间的相互了解和合作,共同促进国际单晶金刚石材料及其电子器件行业及相关行业的蓬勃发展。通过与国内外各相关领域专家学者的交流,借此了解新型超宽禁带半导体——单晶金刚石及其电子器件研究领域的最新进展,为发展新的实验方法、理论并凝炼关键科学问题提供依据,全面推动以宽禁带半导体材料为基础的跨学科、跨领域的深入实质性的合作,促进我国单晶金刚石半导体材料及其电子器件研究平台的建设,并通过共同努力,拓展该类先进电子材料与器件的应用与成果转化。

文字:电信学部 问峰
图片:电信学部
编辑:朱萍萍

 
 
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